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單波長X熒光硅含量分析儀的原理及優(yōu)勢(shì)介紹

更新時(shí)間:2022-10-18  |  點(diǎn)擊率:751
  單波長X熒光硅含量分析儀是由低功率X射線管發(fā)射的多波長X射線螢光,由雙曲面彎晶光學(xué)元件捕獲并聚焦,照射一個(gè)具有合適波長的單色X射線,可以激發(fā)樣品盒中被測(cè)樣品上硅元素K層中的電子,形成一個(gè)小點(diǎn)。單色主光束激發(fā)樣品并發(fā)射次級(jí)特征熒光X射線。只有波長為0.713nm的K被硅元素激發(fā),通過第二雙曲彎曲晶體光學(xué)元件收集,通過適當(dāng)?shù)臋z測(cè)器測(cè)量X射線熒光,然后使用校準(zhǔn)方程轉(zhuǎn)換為被測(cè)樣品中的硅含量。
 
  單波長X熒光硅含量分析儀的工作原理:
 
  低功率X射線管發(fā)出的多波長X射線熒光被雙曲面彎曲晶體光學(xué)元件捕獲并聚焦,并將波長合適的能夠激發(fā)硅元素K層電子的單色X射線照射在樣品盒中的被測(cè)樣品上,形成一個(gè)小點(diǎn)。單色主光束激發(fā)樣品并發(fā)射次級(jí)特征熒光X射線。只有波長為0.713nm的K被硅元素激發(fā),通過第二雙曲彎曲晶體光學(xué)元件收集,通過適當(dāng)?shù)臋z測(cè)器測(cè)量X射線熒光,然后使用校準(zhǔn)方程轉(zhuǎn)換為被測(cè)樣品中的硅含量。
 
  單波長X熒光硅含量分析儀的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
 
  1、樣品制備和儀器操作過程簡(jiǎn)單,檢測(cè)速度快,分析時(shí)間300秒;
 
  2、無樣品損失或轉(zhuǎn)化,無耗氣量,高溫操作;
 
  3、直接檢測(cè),無需樣品預(yù)處理;超低維護(hù)和更少校準(zhǔn)頻率;
 
  4、體積小,可放置在任何實(shí)驗(yàn)室,即插即用;樣品杯膜無接觸和切割;
 
  5、單波長X射線熒光硅分析儀配有標(biāo)準(zhǔn)工作站,可以有更多的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)LIMS功能;
 
  6、分析儀中沒有運(yùn)動(dòng)部件;標(biāo)準(zhǔn)的12位自動(dòng)取樣器可以真正提高效率。
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